Elektronenspektroskopie für Chemische Analyse (ESCA)
Syn. Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS):
Qualitative und quantitative Analyse von Elementen und Verbindungen auf Oberflächen und Interfaces. Analyse der chemischen Bindungszustände. Typische Informationstiefe 4 - 8 nm; Tiefenprofilierung in nm-Schritten über Argonionenätzen. Messfleck-Größe 15-700 µm. Photoelektronen-Imaging bis 3 µm Auflösung. Nachweisgrenze für Elemente typ. 0,1 bis 1 atom-%.
 
Auger Elektronenspektroskopie (AES):
Qualitative und quantitative Analyse der Elemente auf leitfähigen Oberflächen. Tiefenprofilierung über Argonionenätzen. Laterale Auflösung bis 50 nm, Nachweisgrenze bis 0,1 atom-%.
 
Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop mit energiedispersiver Röntgenanalyse (FE-REM/EDX):
Topographische Analyse von Oberflächen. Arbeitsvergrößerung bis 100.000x.
Mittels EDX lokale qualitative und quantitative Elementaranalyse des Oberflächenbereichs, auch Kohlenstoff. Informationstiefe 0,2 bis 5µm.
 
FTIR-Mikroskopie
Mikroskopische Infrarotanalyse in Reflexion und Transmission. Identifizierung organischer Schichten und Kontaminationen ab 100 nm Schichtdicke und 10 µm Durchmesser.
 
Rasterkraftmikroskopie mit Mikrobereichsthermoanalyse (AFM/µ-TA)
Charakterisierung von Oberflächen im nm-Bereich mit Bestimmung der Mikrorauhigkeit und der thermomechanischen / -dynamischen Eigenschaften.
 
Vapour Phase Decomposition (VPD-AAS/VPD-ICP-MS):
Analyse von Waferkontaminationen durch Abätzen mit Flusssäuredämpfen, gefolgt von AAS und ICP-MS Messung. Nachweisgrenze von metallischen Kontaminationen in der Passivierungsschicht ca. 1E+8 bis 1E+9 Atome/cm².
 
Ionic Cleanliness:
Empfindlicher Nachweis wasserlöslicher anionischer und kationischer Oberflächenkontamination. Nachweisgrenze z.B. für Chlorid 0,1 ng/cm².
 
Microetching:
Selektive Oberflächenätzung, gefolgt von Elementscreening über spektroskopische Methoden mit Nachweisgrenzen bis in den ppt-Bereich.
 
Elektrochemische Impedanzspektroskopie und Elektrohydrodynamische Spektroskopie (IS/EID/EHD):
In-situ Charakterisierung von chemischen, galvanischen, dielektrischen Systemen, Halbleitern und Sensoren, von Korrosions-, Diffusions- und Adsorptions-Systemen.
Untersuchung von Metallisierungs-, Ätz- und Reinigungs-Flüssigkeiten, Materialien und Schaltkreisen (< 1015 O*cm).
 
TD-MS
Untersuchung von Kontamination auf Oberflächen durch schnelles Hochheizen der Proben im Vakuum oder in Inertgasen und massenspektroskopischen Nachweis der abgedampften Verbindungen.